КТ841Б
Транзисторы КТ841Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 20,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ2» по ГОСТ 15150-69.
Технические условия:
— — аА0.336.654ТУ.
Импортный аналог: 2SC2122, 2SC1870, BDY99.
Основные технические характеристики транзистора КТ841Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 3Вт;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 400 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 15 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (400В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 12;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 300 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 1000 нс