КТ878Б
Транзисторы КТ878Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания.
Используются для работы в радиоэлектронной аппаратуре общего назначения.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.
Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип корпуса: КТ-9 (TO-3).
Масса транзистора не более 18,0 г.
Климатическое исполнение: «УХЛ».
Технические условия:
— — АДБК.432.148.044ТУ.
Импортный аналог: BUX98, 2N6678, 2N6546.
Основные технические характеристики транзистора КТ878Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 10 МГц;
• Uкэr max — Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 600 В (0,01кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 25 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 50 А;
• Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 3 мА (800В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 12… 50;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 500 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,1 Ом;
• tрас — Время рассасывания: не более 3000 нс