КТ914А
Транзисторы КТ914А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах до 400 МГц при напряжении питания 28 В.
Используются для работы в составе электронной аппаратуры общего назначения.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и монтажным винтом.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 6,0 г.
Тип корпуса: КТ-4-2 (TO-60).
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1».
Технические условия:
— — аА0.336.140ТУ.
Импортный аналог: 2N5161, BC287, IMBT3905, BC321B.
Основные технические характеристики транзистора КТ914А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц;
• Uкбо max — Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  0,8 А;
• Iк и max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 2 мА (65В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10… 60;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 12 Ом;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 2,5 Вт на частоте 400 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 20 пс