КТ930Б
Транзисторы КТ930Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100…400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Внутри корпуса имеется согласующее LC-звено.
Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 7,0 г.
Тип корпуса: КТ-32.
Климатическое исполнение: «УХЛ», категория размещения «2.1», «5.1».
Технические условия:
— — аА0.336.253ТУ.
Импортный аналог: 2N6364, UMIL70.
Основные технические характеристики транзистора КТ930Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 120 Вт;
• fгр — Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 600 МГц;
• Uкэr проб — Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,1кОм);
• Uэбо max — Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max — Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 10 А;
• Iкэr — Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 100 мА (50В);
• h21э — Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск — Емкость коллекторного перехода: не более 170 пФ;
• Ку.р. — Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ;
• Рвых — Выходная мощность транзистора: не менее 75 Вт на частоте 400 МГц;
• tк — Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 11 пс